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半導體器件和電路制造技術飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機理的分析帶來巨大的挑戰(zhàn)。對于半導體失效分析(FA)而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力，可偵測到半導體組件中電子－電洞對再結(jié)合時所發(fā)射出來的光線，能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應用于偵測IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下: 由于加速載流子發(fā)光，即在局部的強場作用下產(chǎn)生的高速載流子與晶格原子發(fā)生碰撞離化，發(fā)射出光子，通常其光譜在可見光范圍內(nèi)有一個寬的分布（ 650-1050 nm ），采用深度制冷的CCD相機可以拍攝到此現(xiàn)象。