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氧 (氮)化物熒光粉材料以其高發(fā)光效率、可被可見光有效激發(fā)、穩(wěn)定性高和環(huán)境友好等諸多優(yōu)點,在固體發(fā)光領(lǐng)域受到廣泛重視。其中,稀土摻雜的熒光粉由于表現(xiàn)出較高的發(fā)光強度、較高的量子效率和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,具有較好的應(yīng)用前景。銪(Eu)元素在化合物中存在Eu2+和Eu3+兩種價態(tài)。Eu2+發(fā)射峰位易受晶體場影響的,即基體或者參雜材料的改變(濃度、元素等),發(fā)射峰的強度會發(fā)生變化,發(fā)射中心會發(fā)生紅移或者藍移;Eu3+的發(fā)射峰是由其自身決定的,比較尖銳、峰位不受晶體場的影響。
閃爍晶體到底是什么?可能很多人都沒聽過這個詞,但其實,在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當被電離輻射激發(fā)之后會表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料,是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料,可用于輻射探測和安全防護,通常在應(yīng)用中將其加工成晶體,稱為閃爍晶體。
半導(dǎo)體器件和電路制造技術(shù)飛速發(fā)展,器件特征尺寸不斷下降,而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機理的分析帶來巨大的挑戰(zhàn)。對于半導(dǎo)體失效分析(FA)而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力,可偵測到半導(dǎo)體組件中電子-電洞對再結(jié)合時所發(fā)射出來的光線,能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應(yīng)用于偵測IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下:
上轉(zhuǎn)換熒光材料是一類在長波長光激發(fā)下能產(chǎn)生短波長光的發(fā)光材料,基于這個特點,上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料在生物熒光標記、太陽能電池、紅外光電探測、激光及顯示等眾多領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。稀土摻雜的上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料的激發(fā)光為紅外光,且生物組織的光透過窗口處于紅外波段,這意味著能夠有實現(xiàn)熒光探針體內(nèi)發(fā)光。另外稀土摻雜的上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料還具有發(fā)光靈敏性高,光穩(wěn)定性好,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,生物毒性低等優(yōu)點。因此,稀土摻雜的上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料有望成為理想的具有應(yīng)用前景的生物熒光探針。
在半導(dǎo)體制造過程中,前期的全自動晶圓缺陷檢測技術(shù)非常重要。因為在后端的生產(chǎn)流程中,通常會有多片晶圓粘合到一起,或者把晶圓粘合到不透明的材料上。因為半導(dǎo)體材料對可見光都是不透明的,所以很難用可見圖像技術(shù)對粘合效果做表征或者檢測粘合表面的污染。近紅外檢測技術(shù)是在半導(dǎo)體工業(yè)的質(zhì)量監(jiān)控一項有前途的新技術(shù)。本文重點介紹近紅外成像檢測技術(shù)在MEMS工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮的重要性!