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閃爍晶體到底是什么?可能很多人都沒聽過這個(gè)詞,但其實(shí),在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會(huì)表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料,是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料,可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù),通常在應(yīng)用中將其加工成晶體,稱為閃爍晶體。
硫化銦(In2S3 )[1]是一種具有極高潛在利用價(jià)值的半導(dǎo)體材料,可作為CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的緩沖層材料,并有望作為Cds緩沖層的替代材料,在光伏與光電器件上有很好的應(yīng)用前景。 In2S3在常溫常壓下比較穩(wěn)定,屬于立方晶系,具有四面體和八面體的空間結(jié)構(gòu),并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3種相,常溫下穩(wěn)定的為β 相。
半導(dǎo)體器件和電路制造技術(shù)飛速發(fā)展,器件特征尺寸不斷下降,而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機(jī)理的分析帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。對(duì)于半導(dǎo)體失效分析(FA)而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測(cè)能力,可偵測(cè)到半導(dǎo)體組件中電子-電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光線,能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應(yīng)用于偵測(cè)IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下:
測(cè)試單位:北京卓立漢光儀器有限公司(Zolix Instrument Co., LTD) 測(cè)試對(duì)象:聚光多結(jié)太陽(yáng)能電池 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模憾嘟Y(jié)太陽(yáng)能電池的QE及IV特性測(cè)試
測(cè)試單位:北京卓立漢光儀器有限公司(Zolix Instrument Co.,LTD) 測(cè)試對(duì)象:光電化學(xué)電池(PEC) 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模汗怆娀瘜W(xué)電池的IPCE