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半導體器件和電路制造技術飛速發(fā)展,器件特征尺寸不斷下降,而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機理的分析帶來巨大的挑戰(zhàn)。對于半導體失效分析(FA)而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力,可偵測到半導體組件中電子-電洞對再結合時所發(fā)射出來的光線,能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應用于偵測IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下:
測試單位:北京卓立漢光儀器有限公司(Zolix Instrument Co., LTD) 測試對象:聚光多結太陽能電池 實驗目的:多結太陽能電池的QE及IV特性測試
測試單位:北京卓立漢光儀器有限公司(Zolix Instrument Co.,LTD) 測試對象:光電化學電池(PEC) 實驗目的:光電化學電池的IPCE
石墨烯是sp2碳原子緊密堆積形成的六邊形蜂窩狀結構二維原子晶體,具有高電導率和熱導率、高載流子遷移率、自由的電子移動空間、高強度和剛度等優(yōu)勢,將在微納電子器件、光電檢測與轉換材料、結構和功能增強復合材料及儲能等廣闊的領域得到應用;在半導體產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)、鋰離子電池、航天、軍工、新一代顯示器等傳統(tǒng)領域和新興領域都將帶來革命性的技術進步,一旦量產(chǎn)必將成為下一個萬億級的產(chǎn)業(yè)。 然而,石墨烯物理性質研究和器件應用的快速發(fā)展對材料的制備和表征提出了新的要求,自從石墨烯發(fā)現(xiàn)以來,各種表征方法被廣泛地用于石墨烯材料的研究。拉曼光譜是一種快速無損的表征材料晶體結構、電子能帶結構、聲子能量色散和電子-聲子耦合的重要的技術手段,具有較高的分辨率,是富勒烯、碳納米管、金剛石研究中受歡迎的表征技術之一,在碳材料的發(fā)展歷程中起到了至關重要的作用。利用拉曼分析我們可以判斷石墨烯層數(shù)、堆落方式、權限、邊緣結構、張力和摻雜狀態(tài)等結構和性質。
上轉換熒光材料是一類在長波長光激發(fā)下能產(chǎn)生短波長光的發(fā)光材料,基于這個特點,上轉換發(fā)光材料在生物熒光標記、太陽能電池、紅外光電探測、激光及顯示等眾多領域具有巨大的應用前景。稀土摻雜的上轉換發(fā)光納米材料的激發(fā)光為紅外光,且生物組織的光透過窗口處于紅外波段,這意味著能夠有實現(xiàn)熒光探針體內發(fā)光。另外稀土摻雜的上轉換發(fā)光納米材料還具有發(fā)光靈敏性高,光穩(wěn)定性好,化學性質穩(wěn)定,生物毒性低等優(yōu)點。因此,稀土摻雜的上轉換發(fā)光納米材料有望成為理想的具有應用前景的生物熒光探針。