RTS-SEMR
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激光波長 |
532nm(>100mW) |
拉曼頻移范圍 |
60-6000cm-1@532nm |
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光譜分辨率 |
<1cm-1 |
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信噪比 |
>20:1 |
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空間分辨率 |
橫向分辨率:<500nm@532nm 激光 縱向分辨率:<2um@50um 針孔,532nm 激光; <1um@10um 針孔,532nm 激光 |
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光譜儀 |
500 mm 焦長,Czerny-Turner 式全自動切換 |
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光譜CCD探測器 |
2000*256 像素,背照式深耗盡芯片,QE>90%,可見近紅外專用 |
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光學(xué)物鏡 |
NA=0.9, WD=10mm, 10X |
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白光源 |
鹵素?zé)? |
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樣品臺 |
類型:步進電機+壓電陶瓷 掃描范圍:2.5mm*2.5mm |
整機電鏡 |
FE-SEM F4000 |
FE-SEM F6000 |
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電子槍 |
肖特基熱場發(fā)射式電子槍 |
肖特基熱場發(fā)射式電子槍 |
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分辨率 |
0.9nm@30kV 1.4nm@15kV |
1.0 nm@30 kV 1.2nm@15kV 1.5 nm@l kV(減速模式) |
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加速電壓 |
0.02-30kv |
0.02-30kv |
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束流 |
1pA~40nA |
5 pA~30 nA (200 nA可選) |
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放大倍數(shù) |
1x~1,000,000x(底片放大倍數(shù),1~15x光學(xué)放大) |
1x~1,000,000x(底片放大倍數(shù),1~15x光學(xué)放大) |
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工作環(huán)境要求 |
溫度20±3/℃;濕度≤80% |
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工作電壓AC220V、50/60Hz |
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最大功耗4500W |
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