DSi系列硅光電探測(cè)器——室溫型探測(cè)器，使用范圍：200-1100nm
兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：
● DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
● DSi300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
● 推薦配合I-V放大器（型號(hào)：ZAMP）使用
兩種型號(hào)硅光電探測(cè)器的光譜響應(yīng)度曲線圖
| 技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱 |
DSi200 紫敏硅探測(cè)器 |
DSi300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器 |
| |
進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 |
進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型 |
| 有效接收面積(mm2) |
100(Φ11.28) |
100(Φ11.28) |
| 波長(zhǎng)使用范圍(nm) |
200-1100 |
350-1100 |
| 峰值波長(zhǎng)(nm)，典型值 |
820nm |
970nm |
| 峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W) |
0.52 |
0.60(>0.55) |
| 典型波長(zhǎng)的響應(yīng)度(A/W) |
0.14(>0.09)@254nm |
0.20(>0.15)@410nm |
| 響應(yīng)時(shí)間(μs) |
5.9 |
2 |
| 工作溫度范圍(℃) |
-10～+60 |
-10～+60 |
| 儲(chǔ)存溫度范圍(℃) |
-20～+70 |
-20～+70 |
| 分流電阻RSH(MΩ) |
10(>5) |
(>10) |
| 等效噪聲功率NEP(W/√Hz) |
4.5×10-13 |
2.0×10-13 |
| *大操作電流(mA@0V bias) |
0.1 |
10.0 |
| 結(jié)電容(pf@0V bias) |
4500 |
8800 |
| 信號(hào)輸出模式 |
電流 |
電流 |
| 輸出信號(hào)極性 |
正（P） |
正（P） |
硅光電探測(cè)器使用建議：
■ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
■ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。
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