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導(dǎo)讀
從鄉(xiāng)村里走出來的農(nóng)村娃，到成為大學(xué)里的教授；從最初對科研的懵懂無知，到堅定信念扎根于微電子領(lǐng)域，在科學(xué)探索的道路上，張法碧始終堅持初心，保持著對科研的嚴謹、認真、刻苦的心態(tài)，正在致力于和團隊一起，聚焦新型微納光電原型器件關(guān)鍵問題，探索提高器件性能的方法。
科學(xué)研究是探索未知，科研人員既要有嚴肅、嚴密和嚴格的學(xué)風，又要有敢想、敢干和敢闖的精神，二者不可缺一。在桂林電子科技大學(xué)張法碧教授近二十年的科研人生中，始終堅持初心，保持著對科研的嚴謹、認真、刻苦的心態(tài)，扎根于微電子領(lǐng)域，聚焦新型微納光電原型器件關(guān)鍵問題，探索提高器件性能的方法。
為了在科研領(lǐng)域貢獻自己的一份力量，張法碧在潛心教書十余年后，深切地感覺到我國微電子基礎(chǔ)的薄弱與國家對微電子相關(guān)技術(shù)的急迫需求，在國家的支持和學(xué)校的良好政策下，成功申請到了公派留學(xué)的機會，前往日本讀博取經(jīng)，主修專業(yè)是電子電氣，系統(tǒng)學(xué)習了半導(dǎo)體薄膜的制備等技術(shù)。吃水不忘挖井人，成功獲取博士學(xué)位后，張法碧回國發(fā)展，并在桂林電子科技大學(xué)繼續(xù)任教。
當詢問到多年的經(jīng)歷，張法碧感觸頗深：“要積極向上，努力去爭取更好的機會”。在未來，張法碧仍會保持嚴謹、認真、刻苦的心態(tài)，為微電子行業(yè)發(fā)展盡微薄之力。
潛心科研、落地生根
2020年，張法碧結(jié)束了遠赴海外的科研之旅，回到祖國繼續(xù)在桂林電子科技大學(xué)任教，并全力開展科研工作。作為主要參與人組建“微電子器件與集成技術(shù)團隊”，發(fā)展自身在等離子體表面激元、寬禁帶半導(dǎo)體材料外延生長、高遷移率器件設(shè)計與微納器件加工等方面的多年經(jīng)驗和技術(shù)優(yōu)勢，聚焦新型微納光電原型器件關(guān)鍵問題，采用新材料，新方法探索提高器件性能的方法。
目前團隊研究成員有正高級職稱同志3名，副高2人，中級職稱3人。近五年團隊發(fā)表研究論文近百篇，獲得發(fā)明授權(quán)近二十項，獲得國家級項目十余項。團隊建設(shè)有“超凈工藝平臺”和“集成電路測試平臺”。
開拓創(chuàng)新、碩果累累
在科研領(lǐng)域，張法碧及其團隊從事超寬禁帶半導(dǎo)體能帶工程相關(guān)研究，研究的具體材料是氧化鎵相關(guān)薄膜。氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm。與GaN和SiC相比，β-Ga2O3導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫，因此Ga2O3是一種非常有前途的材料。在國際上，特別是在日本和美國，對這種材料及其潛在應(yīng)用的興趣在過去三年中增長非常快，氧化鎵材料也受到國家一級的方案資助，應(yīng)用前景廣闊。
雖然氧化鎵材料具有更廣闊的應(yīng)用前景，但是仍有很多難點需要解決，主要集中在以下幾個方面：
1）如何制備出更大尺寸的晶體生長？從而降低制作成本？
2）Ga2O3的熱導(dǎo)率比較低，如何有效解決使用過程中的散熱問題？
3）氧化鎵配套的AlGaO和InGaO的研究進展比較緩慢，這在很大程度上制約著氧化鎵的發(fā)展。
針對第三個問題，張法碧團隊不懼困難，潛心研究，并取得多項喜人成果：
1) 研究了InGaO薄膜的能帶工程。其禁帶寬度可以從氧化銦的3.6 eV調(diào)節(jié)到氧化鎵的5.1eV。
2）研究了AlGaO薄膜的能帶工程。其禁帶寬度可以從氧化鎵的5.1 eV調(diào)節(jié)到氧化鋁的7.2 eV。
3）制備了InGaO薄膜實現(xiàn)了波長可以調(diào)節(jié)的紫外探測器。
4） 實現(xiàn)了可發(fā)光的InGaO薄膜。
雖然張法碧在其研究領(lǐng)域收獲了喜人的研究成果，但他也多次表示，科研的道路上是艱辛的。在科研中遇到最大的問題，其實是來源于設(shè)備缺乏。目前大多數(shù)科研工作者使用的設(shè)備大多是進口設(shè)備，造價昂貴、求購困難；國產(chǎn)的一些設(shè)備仍然有質(zhì)量困擾，維修和售后的時間甚至在一定程度上影響項目的進程。因此，一款高性價比的設(shè)備已然成為關(guān)鍵訴求之一，獲得自己理想的設(shè)備是眾多科研者非常希望的事情。張法碧表示“就最近幾年來看，我們國家的國產(chǎn)科研設(shè)備得到了大力的促進，水平在急速上升。特別是卓立漢光這樣的光電測試設(shè)備國產(chǎn)優(yōu)良率非常高，還能根據(jù)用戶實際情況進行定制，非常方便，對于科研工作者來說是福音。”相信，在國家的大力支持下，國產(chǎn)科研設(shè)備會大水平上升，滿足廣大科研工作者的科研需求。
展望未來、再次起航
現(xiàn)在，張法碧每天都很忙碌，科研團隊正在積極擴建，當前他的工作重點仍然聚焦在新型微納光電原型器件關(guān)鍵問題，采用新材料，新方法探索提高器件性能的方法，為微電子領(lǐng)域的發(fā)展，聊盡綿薄之力。
在此，也送上張法碧對大家的祝福：“祝大家工作中能時刻有火花、年年有基金”。
人物簡介
張法碧，男，本科和碩士畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學(xué)，博士畢業(yè)于日本佐賀大學(xué)。“廣西E層次人才”，"廣西創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范"，廣西高校引進海外高層次人才“百人計劃”，“廣西高等學(xué)校千名中青年骨干教師培育計劃”人選，“日本文部科學(xué)省獎學(xué)金”獲得者，現(xiàn)任桂林電子科技大學(xué)教授。研究領(lǐng)域：微電子與固體電子學(xué)。研究方向：紫外探測材料器件、寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、二維材料與器件、透明氧化物薄膜與器件、功率器件。主持國家自然科學(xué)基金地區(qū)項目一項，參與兩項；主持廣西中青年基礎(chǔ)能力提升項目一項；主持廣西重點實驗室主任基金項目三項；參與廣西自然科學(xué)基金兩項。
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