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LIBS-Lab 實(shí)驗(yàn)室元素分析測(cè)試系統(tǒng)

一套用于皮秒時(shí)間分辨的超快熒光測(cè)試系統(tǒng)解決方案,為您提供ps-ns-us 量級(jí)的超快熒光壽命或超快等離子體衍化過(guò)程的快速測(cè)量。
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產(chǎn)品概述

技術(shù)介紹:

激光誘導(dǎo)擊穿光譜(LIBS)是一種通過(guò)脈沖激光轟擊樣品獲得樣品轟擊面區(qū)域原子發(fā)射光譜的分析方法。其具有快速分析,同時(shí)能檢測(cè)多種元素等特點(diǎn)。經(jīng)過(guò)幾十年,特別是近20年的研究發(fā)展,LIBS技術(shù)已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室逐步向?qū)嶋H利用領(lǐng)域發(fā)展,如冶金,文物鑒定,考古等方面。而該技術(shù)中除了相關(guān)的激光器,快速診斷探測(cè)器,光譜儀的使用也至關(guān)重要。

產(chǎn)品應(yīng)用:

LIBS系統(tǒng)的主要構(gòu)成有激光器,聚焦系統(tǒng),樣品區(qū)域,時(shí)序控制系統(tǒng),信號(hào)接收裝置,光譜儀和快速響應(yīng)探測(cè)器(ICCD)等部分組成。如下圖所示:

圖1:LIBS系統(tǒng)主要構(gòu)架

激光器方面一般使用納秒量級(jí)的脈沖激光器,激發(fā)波長(zhǎng)以532nm或1064nm為主。當(dāng)然越是窄脈沖激光器對(duì)于樣品靶面的燒蝕損傷越小,因此近年來(lái)科學(xué)家也開始使用飛秒激光作為激發(fā)源。

快速探測(cè)器方面,一般采用ICCD作為標(biāo)準(zhǔn)的LIBS探測(cè)器。但是ICCD也并非獨(dú)一無(wú)二的選擇。由于LIBS信號(hào)的產(chǎn)生是在激發(fā)光轟擊后的幾百納秒到幾微秒產(chǎn)生,且持續(xù)時(shí)間也有幾微秒到幾十微秒。因此科學(xué)家也可以通過(guò)時(shí)序控制器調(diào)節(jié)探測(cè)器同激光器之間的延時(shí),用快速的線陣CCD也可以獲得較準(zhǔn)時(shí)間精度的LIBS信號(hào)。

LIBS信號(hào)的分析受到很多因素的影響,激光器能量的穩(wěn)定性,探測(cè)器的時(shí)間精度,時(shí)序控制的準(zhǔn)確等。近年來(lái),隨著LIBS光譜分析從定性往定量檢測(cè)發(fā)展,對(duì)于譜儀的要求也越來(lái)越高。市場(chǎng)上使用中階梯光柵光譜儀比較廣泛,其特點(diǎn)是可以在一個(gè)比較寬的波段范圍里檢測(cè)信號(hào)。但是為了獲得更高的光譜分辨率,隨之而來(lái)檢測(cè)范圍也會(huì)縮小,同時(shí)設(shè)備成本也會(huì)增加。而傳統(tǒng)C-T(Czerny-Turner)結(jié)構(gòu)的光譜儀有著使用方便,性價(jià)比高的特點(diǎn),目前仍然在LIBS領(lǐng)域有著不可忽視的作用。

C-T結(jié)構(gòu)光譜儀可以根據(jù)需要更換高刻畫線或是低刻畫線光柵來(lái)獲得高分辨或是更寬的光譜。相較于中階梯光譜儀,其也有著更高的光通量,從而可以檢測(cè)更弱的信號(hào)。另外C-T結(jié)構(gòu)光譜儀也較容易實(shí)現(xiàn)較高質(zhì)量的光譜成像,這可以使得我們獲得較高的分辨率和較完美譜線峰型,從而使定量分析變得簡(jiǎn)單方便。

北京卓立漢光多年來(lái)致力于光譜儀的開發(fā)和研究,在小型化C-T結(jié)構(gòu)光譜儀(Omni系列)領(lǐng)域走出了一條很有特點(diǎn)的發(fā)展之路。

本公司相機(jī)推出200mm,320mm,500mm和750mm焦距的C-T光譜儀。750焦距光譜儀,采用1200刻線光柵,可以得到0.03nm的分辨率,輕松解決各種LIBS信號(hào)分辨采集。

圖2:科學(xué)家利用Omni-500譜儀和ICCD采集到的黨參樣品的成分元素分析

在生物L(fēng)IBS領(lǐng)域,科學(xué)家利用LIBS技術(shù)逐漸對(duì)植物的重金屬含量分析,中藥的成分分析進(jìn)行研究,也獲得了很多很有實(shí)踐意義的成果。上圖中我們可以看到,信號(hào)的信噪比很突出,并且峰型尖銳,很多離著很近的譜峰可以輕松分辨出來(lái)。

圖3:我們提供各種光譜儀組合

該類型譜儀有著各種輸入和輸出接口,入口方面可以連接各種光纖,方便采集信號(hào),出口探測(cè)器方面可以接PMT,也可以連接市場(chǎng)上多種類型的ISCMOS或是CCD。

像增強(qiáng)相機(jī)
本公司提供多種納秒超快探測(cè)器ISCMOS

國(guó)內(nèi)首推科學(xué)級(jí)制冷型超快IsCMOS 相機(jī),采用高效超快像增強(qiáng)器,采用**光纖面板耦合工藝技術(shù),配合>95% 量子效率 科研制冷型sCMOS 相機(jī), 實(shí)現(xiàn)低噪聲、高速、超快門控拍照。

IsCMOS像增強(qiáng)型相機(jī)

● 科學(xué)級(jí)制冷型IsCMOS

● 18/25mm 大口徑二代高效像增強(qiáng)器

● 光譜響應(yīng)范圍:S20 光陰極,200-850nm

● 光學(xué)快門: <3ns

● 延遲與門控精度:10ps

● 增強(qiáng)器陰極門控*高同步頻率 300KHZ;

● 內(nèi)置時(shí)序控制器DDG

● 耦合方式:1:1 光纖面板耦合

● sCMOS 芯片: 高分辨2048*2048陣列

● 位深: 16bit

● 制冷溫度: 室溫減35度

● *快幀速: 35fps.

● 專業(yè)化數(shù)據(jù)采集控制軟件

獨(dú)特亮點(diǎn)

制冷型IsCMOS

-10度芯片制冷溫度,有效減低芯片暗噪聲,安靜讀出

超快光學(xué)門寬

<3ns 陰極光學(xué)門寬,實(shí)現(xiàn)**測(cè)量

內(nèi)置DDG

內(nèi)置精度<10ps  門控與延遲控制發(fā)射器,方便隨心控制

高效光纖錐耦合

1:1 高效光纖錐耦合增強(qiáng)器與相機(jī),高通光量

高分辨率讀出

400萬(wàn)像素高分辨率圖像讀出,不忽略細(xì)節(jié)

16bit, 95% QE

高動(dòng)態(tài)范圍,高量子效率,不留缺憾

IOC 模式

>300kHZ陰極快門同步頻率,IOC  芯片累積模式下提升信噪比

專業(yè)化軟件

采集控制,數(shù)據(jù)處理專業(yè)化界面,簡(jiǎn)單 快捷

常見型號(hào)列表:

 

 

SIC-25U-UV-4M-F

25mm 增強(qiáng)器,UV-VIS 200-900nm, 2048*2048, 光纖面板耦合

IsCMOS

SIC-18U-UV-4M-F

18mm 增強(qiáng)器,UV-VIS 200-900nm, 2048*2048, 光纖面板耦合

SIC-18U-VIS-4M-F

18mm 增強(qiáng)器,VIS 380-850nm, 2048*2048, 光纖面板耦合

 

 

SIC-18F-VN-4M-F

18mm 增強(qiáng)器,VIS -NIR 400-1100nm, 2048*2048,光纖面板耦合

 

 

ICCD

SIC-18U-UV-6M-L

18mm 增強(qiáng)器,UV-VIS 200-850nm, 2750*2200, 高分辨率鏡頭耦合

SIC-18F-VN-6M-L

18mm 增強(qiáng)器,VIS-NIR 400-1100nm, 2750*2200, 高分辨率鏡頭耦合

 
技術(shù)參數(shù)
 

sCMOS相機(jī)

像素陣列

2048*2048

陣面尺寸

13.3*13.3mm

像素大小

6.5um*6.5um

傳感器類型

背照式sCMOS

量子效率

>95% @600nm

讀出噪聲

CMS: 1.1e-(Median) / 1.2e-(RMS)

暗電流

0.15e- / pixel / s@-15℃

曝光時(shí)間

1ms-10s

位深

16bit

數(shù)字接口

UBS3.0

像增強(qiáng)器MCP

光陰極

S20B

S25R

光譜范圍

200-850nm

380-1100nm

峰值量子效率

20% @440nm

22%@720nm

等效噪聲(EBI)

< 2 x 10-7 lux @ 20 °C ± 2 °C

< 5 x 10-7  Lux

光子增益

1*104 photon/photon

1.4*104

有效口徑尺寸

18mm & 25mm

18mm

熒光屏

P20 /P43

P43

輸出窗口

1:1光纖面板

光學(xué)門控寬度

Fast: <3ns;  Slow option > =50ns

Fast < 5ns

內(nèi)部DDG 控制

延遲和門寬調(diào)節(jié)范圍

0-10s

延遲和門寬調(diào)節(jié)精度

10ps

同步接口

外觸發(fā)輸入,觸發(fā)輸出,直接觸發(fā)(Direct gate)

觸發(fā)信號(hào)

觸發(fā)閾值 1-5V, 阻抗50歐姆,抖動(dòng)<100ps

觸發(fā)固有延遲

<120ns@ 外觸發(fā),<40ns  @ Direct gate 直接觸發(fā)

sCMOS 量子效率曲線
增強(qiáng)器光陰極量子效率曲線
 
 

引用文獻(xiàn):

  1. WangJinmei, YanHaiying, ZhengPeichao, TanGuining,1111002,44(2017)

  2. YongqiangWang, Maogen Sua, Duixiong Sun, ChaoWu, Xiaomin Zhang,Quanfang Lu, Chenzhong Dong,Microchemical Journal,318,137(2018)

  3. Yuanhang Wang,Yang Bu,Yachao Cai and Xiangzhao Wang,Journal of Analytical Atomic Spectrometry,1023,37(2022)

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