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半導(dǎo)體晶圓拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體晶圓拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)具有自動(dòng)對(duì)焦和實(shí)時(shí)表面跟蹤功能,無(wú)需樣品標(biāo)記,可進(jìn)行無(wú)損非接觸式測(cè)量,空間分辨率<1μm。系統(tǒng)可以對(duì)第三代半導(dǎo)體進(jìn)行組分、應(yīng)力、載流子濃度、結(jié)晶度和缺陷進(jìn)行檢測(cè),廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的質(zhì)量監(jiān)控、失效分析。
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產(chǎn)品概述
半導(dǎo)體晶圓拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)R1——應(yīng)力、組分、載流子濃度
 
面向半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)的拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)
主要功能:
•光穿過(guò)介質(zhì)時(shí)被原子和分子散射的光發(fā)生頻率變化,該現(xiàn)象稱(chēng)為拉曼散射。
•拉曼光譜的強(qiáng)度、頻移、線寬、特征峰數(shù)目以及退偏度與分子的振動(dòng)能態(tài)、轉(zhuǎn)動(dòng)能態(tài)、對(duì)稱(chēng)性等緊密相關(guān)
•廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的質(zhì)量監(jiān)控、失效分析。


儀器架構(gòu):


性能參數(shù):
 

拉曼激發(fā)和收集模塊

激光波長(zhǎng)

532 nm

激光功率

100 mW

自動(dòng)對(duì)焦

•在全掃描范圍自動(dòng)聚焦和實(shí)時(shí)表面跟蹤

•對(duì)焦精度<0.2微米

顯微鏡

•用于樣品定位和成像

•100x,半復(fù)消色差物鏡
•空間分辨率<2微米

拉曼頻移范圍

80-9000 cm-1

樣品移動(dòng)和掃描平臺(tái)

平移臺(tái)

•掃描范圍大于300x300mm。

•最小分辨率1微米。

 

樣品臺(tái)

•8寸吸氣臺(tái)(12寸可定制)

•可兼容2、4、6、8寸晶圓片

光譜儀和探測(cè)器

光譜儀

•320 mm焦長(zhǎng)單色儀,接面陣探測(cè)器。

•分辨率<2.0 cm-1。

軟件

控制軟件

•可選擇區(qū)域或指定點(diǎn)位自動(dòng)進(jìn)行逐點(diǎn)光譜采集

Mapping數(shù)據(jù)分析軟件

•可對(duì)光譜峰位、峰高和半高寬等進(jìn)行擬合。

•可自動(dòng)擬合并計(jì)算應(yīng)力、晶化率、載流子濃度等信息,樣品數(shù)據(jù)庫(kù)可定制。
•將擬合結(jié)果以二維圖像方式顯示。
 
晶圓Mapping軟件界面
數(shù)據(jù)分析軟件界面
應(yīng)力檢測(cè)—GaN晶圓片
利用拉曼光譜568 cm-1位置的特征峰位移動(dòng),可以檢測(cè)GaN晶圓表面應(yīng)力分布。類(lèi)似方法還可應(yīng)用于表征Si/SiC/GaAs等多種半導(dǎo)體。
載流子濃度檢測(cè)——SiC晶圓片
組分檢測(cè)——結(jié)晶硅薄膜晶化率測(cè)試
結(jié)晶率指晶態(tài)硅與晶界占非晶態(tài)、晶態(tài)、晶界總和的質(zhì)量百分比或體積百分比,是評(píng)價(jià)結(jié)晶硅薄膜晶化效果的一項(xiàng)重要指標(biāo)。晶化率????????可通過(guò)擬合拉曼光譜分峰后定量計(jì)算。
多層復(fù)雜晶圓質(zhì)量檢測(cè)——AlGaN/GaNHEMT
•氮化鎵高電子遷移率晶體管則憑借其良好的高頻特性在移動(dòng)電話(huà)、衛(wèi)星電視和雷達(dá)中應(yīng)用廣泛。
•晶圓片包含Si/AlGaN/GaN多層薄膜結(jié)構(gòu)。
•拉曼光譜可給出多層結(jié)構(gòu)的指紋峰,并對(duì)其應(yīng)力、組分、載流子濃度等進(jìn)行分析。
AlGaN/GaN晶圓,直徑6英寸
面向半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)的拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)
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